第26章 新型芯片
『如果章节错误，点此举报』
第(2/3)页
做的晶体管，电子迁移率是硅的1000倍，碳纳米管的电子自由程特别长，不容易发热。
前不久华为公司被米国制裁，任何使用米国技术的企业都不得向华为提供产品。
而北大一个新课题组发明了新的提纯组装方法制备了高纯度、高密度半导体阵列的碳纳米管材料。还实现了性能超越同等栅长硅基cmos技术的晶体管电路。
虽然只有120微米，但这一成果为夏国终结芯片硅时代提供了一种新的可能性方案。
得知这一消息，华为公司迅速与该团队进行交流，有意在未来达成合作对接。
然后自媒体就发布了一系列消息，声称国产芯片已弯道超车。
但是现实很残酷。
碳纳米管目前的制备仍是巨大难题，尤其是工业化低成本大规模地制备，不然早就在各种行业全面开花了。
而且碳纳米管需要的原料是石墨，这成本也比硅高了很多。
而且目前实验室阶段只是用化学方法排列，成本和复杂程度更是高了不少，还只能同时放几百个碳纳米管电路，而且碳晶体管排布在圆晶上，需要更为强大的刻蚀技术。
目前该技术还远远无法商业化，保守估计至少要十五年时间。
因此目前碳基芯片，更多的是在理论环节，但一旦成熟，碳基芯片有望将集成电路推进到3nm以下，性能是硅基芯片的十倍以上。
对于林逸来说，材料和工艺完全不是问题，在小宇宙设定一下参数生成即可，纯度和精度都是完美级别，只要不拿出来公开卖，自己用谁也怀疑不到他头上。
巧的是，林逸在上次融合逸语言时候，正好也同时获得了宇宙思维生成的一种传统计算机极致的芯片架构。
宇宙意志显然只考虑性能的极限，不考虑工艺等问题，而且这对林逸也不是问题。
这种芯片是一种立体堆叠中空芯片，各个部位完美巧妙结合，形成一种极致的性能结构，而且每一层都
(本章未完,请翻页)
第(2/3)页
做的晶体管，电子迁移率是硅的1000倍，碳纳米管的电子自由程特别长，不容易发热。
前不久华为公司被米国制裁，任何使用米国技术的企业都不得向华为提供产品。
而北大一个新课题组发明了新的提纯组装方法制备了高纯度、高密度半导体阵列的碳纳米管材料。还实现了性能超越同等栅长硅基cmos技术的晶体管电路。
虽然只有120微米，但这一成果为夏国终结芯片硅时代提供了一种新的可能性方案。
得知这一消息，华为公司迅速与该团队进行交流，有意在未来达成合作对接。
然后自媒体就发布了一系列消息，声称国产芯片已弯道超车。
但是现实很残酷。
碳纳米管目前的制备仍是巨大难题，尤其是工业化低成本大规模地制备，不然早就在各种行业全面开花了。
而且碳纳米管需要的原料是石墨，这成本也比硅高了很多。
而且目前实验室阶段只是用化学方法排列，成本和复杂程度更是高了不少，还只能同时放几百个碳纳米管电路，而且碳晶体管排布在圆晶上，需要更为强大的刻蚀技术。
目前该技术还远远无法商业化，保守估计至少要十五年时间。
因此目前碳基芯片，更多的是在理论环节，但一旦成熟，碳基芯片有望将集成电路推进到3nm以下，性能是硅基芯片的十倍以上。
对于林逸来说，材料和工艺完全不是问题，在小宇宙设定一下参数生成即可，纯度和精度都是完美级别，只要不拿出来公开卖，自己用谁也怀疑不到他头上。
巧的是，林逸在上次融合逸语言时候，正好也同时获得了宇宙思维生成的一种传统计算机极致的芯片架构。
宇宙意志显然只考虑性能的极限，不考虑工艺等问题，而且这对林逸也不是问题。
这种芯片是一种立体堆叠中空芯片，各个部位完美巧妙结合，形成一种极致的性能结构，而且每一层都
(本章未完,请翻页)